功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | IGBT晶体管 |
| 型号编码 | APT200GN60J |
| 说明 | 功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
| 品牌 | Microsemi |
| 封装 | SOT-227 |
| 分类 | 型号 |
|---|---|
| 开发套件 > | FLASHPRO4 |
| TVS二极管 > | 1N5617 |
| TVS二极管 > | JANTX1N5711-1 |
| TVS二极管 > | 1N5619 |
| TVS二极管 > | APT75DQ120BG |
| TVS二极管 > | JAN1N4148-1 |
| FPGA芯片 > | A42MX09-PLG84 |
| TVS二极管 > | JANTX1N3595-1 |
| TVS二极管 > | 1N5811US |
| TVS二极管 > | APT60D120BG |
| TVS二极管 > | APT15D60KG |
| FPGA芯片 > | A3PN250-VQG100 |
| 二极管 > | JANTXV1N5660A |
| TVS二极管 > | UPS5817E3/TR7 |
| 双极性晶体管 > | JANTX2N4261UB |
| IGBT晶体管 > | APT50GN60BG |
| FPGA芯片 > | A3PN060-VQG100 |
| TVS二极管 > | 1N4148UR-1 |
| FPGA芯片 > | A3P125-VQG100 |
| TVS二极管 > | APT60DQ60BG |
| 齐纳二极管 > | 1N5349B |
| FPGA芯片 > | A3P060-VQG100 |
